Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF06FPPBF

KEY Part #: K6445482

VS-10ETF06FPPBF 価格設定(USD) [2093個在庫]

  • 1,000 pcs$0.57290

品番:
VS-10ETF06FPPBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF06FPPBF electronic components. VS-10ETF06FPPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF06FPPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF06FPPBF 製品の属性

品番 : VS-10ETF06FPPBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : -
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC Full Pack
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.