ON Semiconductor - NTD3055L104T4G

KEY Part #: K6418032

NTD3055L104T4G 価格設定(USD) [383221個在庫]

  • 1 pcs$0.09745
  • 2,500 pcs$0.09697

品番:
NTD3055L104T4G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTD3055L104T4G electronic components. NTD3055L104T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD3055L104T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD3055L104T4G 製品の属性

品番 : NTD3055L104T4G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 104 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs(最大) : ±15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 440pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta), 48W (Tj)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • SPA11N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IRFI3306GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A TO220.