ON Semiconductor - BAS16M3T5G

KEY Part #: K6429163

BAS16M3T5G 価格設定(USD) [2338035個在庫]

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品番:
BAS16M3T5G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723. Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor BAS16M3T5G electronic components. BAS16M3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16M3T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16M3T5G 製品の属性

品番 : BAS16M3T5G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 200mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 150mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 6ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-723
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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