STGW60H65DRF 価格設定（USD） [9948個在庫]
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- 品番:
- STGW60H65DRF
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 120A 420W TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STGW60H65DRF electronic components. STGW60H65DRF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGW60H65DRF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGW60H65DRF 製品の属性
品番 :
STGW60H65DRF
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
IGBT 650V 120A 420W TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
120A
電流-パルスコレクター（Icm） :
240A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.4V @ 15V, 60A
パワー-最大 :
420W
スイッチングエネルギー :
940µJ (on), 1.06mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
217nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
85ns/178ns
試験条件 :
400V, 60A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
19ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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