GeneSiC Semiconductor - MURTA500120

KEY Part #: K6468609

MURTA500120 価格設定(USD) [715個在庫]

  • 1 pcs$64.93570
  • 18 pcs$36.55488

品番:
MURTA500120
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 500A Si Super Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA500120 electronic components. MURTA500120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA500120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA500120 製品の属性

品番 : MURTA500120
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 250A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.6V @ 250A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
あなたも興味があるかもしれません
  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • BAT240AE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 240V SOT23.

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

  • BAT1804E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23.

  • BAT6404E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes