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- 品番:
- 10ETS08S
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 10ETS08S electronic components. 10ETS08S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 10ETS08S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
10ETS08S 製品の属性
品番 :
10ETS08S
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 10A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
50µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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