FDPF8D5N10C 価格設定（USD） [41344個在庫]
- 1 pcs$0.94572
- 品番:
- FDPF8D5N10C
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- FET ENGR DEV-NOT REL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDPF8D5N10C electronic components. FDPF8D5N10C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDPF8D5N10C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDPF8D5N10C 製品の属性
品番 :
FDPF8D5N10C
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
FET ENGR DEV-NOT REL
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
76A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 130µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2475pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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