IXYS - IXTH80N65X2

KEY Part #: K6398427

IXTH80N65X2 価格設定(USD) [8659個在庫]

  • 1 pcs$7.53156
  • 10 pcs$6.84495
  • 100 pcs$5.81821

品番:
IXTH80N65X2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTH80N65X2 electronic components. IXTH80N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH80N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH80N65X2 製品の属性

品番 : IXTH80N65X2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 144nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7753pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 890W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.

  • TK10A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.

  • IPA093N06N3GXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31.