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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 electronic components. IPP045N10N3GHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP045N10N3GHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP045N10N3GHKSA1 製品の属性
品番 :
IPP045N10N3GHKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8410pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
214W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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