BSZ0902NSATMA1 価格設定（USD） [243518個在庫]
- 1 pcs$0.15189
- 品番:
- BSZ0902NSATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1 electronic components. BSZ0902NSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ0902NSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ0902NSATMA1 製品の属性
品番 :
BSZ0902NSATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
19A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1700pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 48W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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