NVMFS5830NLT1G 価格設定（USD） [1970個在庫]
- 1,500 pcs$0.41966
- 品番:
- NVMFS5830NLT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5830NLT1G electronic components. NVMFS5830NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5830NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5830NLT1G 製品の属性
品番 :
NVMFS5830NLT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
113nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5880pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 158W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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