BAQ35-GS18 価格設定（USD） [1964736個在庫]
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- 品番:
- BAQ35-GS18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ35-GS18 electronic components. BAQ35-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAQ35-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAQ35-GS18 製品の属性
品番 :
BAQ35-GS18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
125V
電流-平均整流（Io） :
200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1nA @ 60V
静電容量@ Vr、F :
3pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-80 MiniMELF
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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