説明 :
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4.1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
12nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
660pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) :
1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)