Infineon Technologies - IPU60R1K5CEAKMA1

KEY Part #: K6402410

IPU60R1K5CEAKMA1 価格設定(USD) [2713個在庫]

  • 1,500 pcs$0.09785

品番:
IPU60R1K5CEAKMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO-251-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA1 electronic components. IPU60R1K5CEAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU60R1K5CEAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPU60R1K5CEAKMA1 製品の属性

品番 : IPU60R1K5CEAKMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V TO-251-3
シリーズ : CoolMOS™ CE
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 200pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

あなたも興味があるかもしれません