GeneSiC Semiconductor - GC50MPS06-247

KEY Part #: K6440983

GC50MPS06-247 価格設定(USD) [4974個在庫]

  • 1 pcs$8.71004

品番:
GC50MPS06-247
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
SIC DIODE 650V 50A TO-247-2. Schottky Diodes & Rectifiers
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 electronic components. GC50MPS06-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC50MPS06-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC50MPS06-247 製品の属性

品番 : GC50MPS06-247
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : SIC DIODE 650V 50A TO-247-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 50A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : -
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-2
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
あなたも興味があるかもしれません
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-8EWF04S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • VS-E4PU3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SS24SHE3J_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC.

  • SS23SHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.