STMicroelectronics - STGB19NC60HDT4

KEY Part #: K6423104

STGB19NC60HDT4 価格設定(USD) [71856個在庫]

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品番:
STGB19NC60HDT4
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
IGBT 600V 40A 130W D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB19NC60HDT4 製品の属性

品番 : STGB19NC60HDT4
メーカー : STMicroelectronics
説明 : IGBT 600V 40A 130W D2PAK
シリーズ : PowerMESH™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 40A
電流-パルスコレクター(Icm) : 60A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.5V @ 15V, 12A
パワー-最大 : 130W
スイッチングエネルギー : 85µJ (on), 189µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 53nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 25ns/97ns
試験条件 : 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 31ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK

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