RGW80TK65DGVC11 価格設定（USD） [14657個在庫]
- 1 pcs$2.81167
- 品番:
- RGW80TK65DGVC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RGW80TK65DGVC11 electronic components. RGW80TK65DGVC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGW80TK65DGVC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGW80TK65DGVC11 製品の属性
品番 :
RGW80TK65DGVC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
39A
電流-パルスコレクター（Icm） :
160A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 40A
パワー-最大 :
81W
スイッチングエネルギー :
760µJ (on), 720µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
110nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
44ns/143ns
試験条件 :
400V, 40A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
92ns
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3PFM, SC-93-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PFM
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