GeneSiC Semiconductor - 2N7637-GA

KEY Part #: K6404289

2N7637-GA 価格設定(USD) [2063個在庫]

  • 10 pcs$128.89761

品番:
2N7637-GA
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
TRANS SJT 650V 7A TO-257.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA electronic components. 2N7637-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7637-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7637-GA 製品の属性

品番 : 2N7637-GA
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : TRANS SJT 650V 7A TO-257
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc) (165°C)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 7A
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 720pF @ 35V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 80W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-257
パッケージ/ケース : TO-257-3
あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6355-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • IPA50R380CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

  • IPA50R190CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.