技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
4700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
180nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
6860pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUSi5-Pak™
パッケージ/ケース :
ISOPLUSi5-Pak™