NSD914F3T5G 価格設定（USD） [1550935個在庫]
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- 16,000 pcs$0.02113
- 品番:
- NSD914F3T5G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GP 100V 200MA SOT1123. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWITCHING DIODE
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSD914F3T5G electronic components. NSD914F3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSD914F3T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSD914F3T5G 製品の属性
品番 :
NSD914F3T5G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GP 100V 200MA SOT1123
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
200mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 10mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
4pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-1123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-1123
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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