Microsemi Corporation - APT10SCD120B

KEY Part #: K6444885

APT10SCD120B 価格設定(USD) [2297個在庫]

  • 1 pcs$4.94465
  • 10 pcs$4.45019
  • 25 pcs$4.05462
  • 100 pcs$3.65904
  • 250 pcs$3.36236

品番:
APT10SCD120B
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT10SCD120B electronic components. APT10SCD120B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT10SCD120B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10SCD120B 製品の属性

品番 : APT10SCD120B
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 36A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 600pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • SRP600K-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 6A P600.

  • SRP600B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • VSB2045Y-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS

  • GI821-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 5A P600.

  • GPP100MS-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 10A P600.

  • VBT4045BP-E3/8W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40A 45V Schottky PV Solar Bypass