ES3DVHM6G 価格設定（USD） [761822個在庫]
- 1 pcs$0.04855
- 品番:
- ES3DVHM6G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3DVHM6G electronic components. ES3DVHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3DVHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES3DVHM6G 製品の属性
品番 :
ES3DVHM6G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
20ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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