SIZF300DT-T1-GE3 価格設定（USD） [166378個在庫]
- 1 pcs$0.22231
- 品番:
- SIZF300DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 electronic components. SIZF300DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF300DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZF300DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZF300DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V, 62nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
パワー-最大 :
3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair® (6x5)
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