NSVMUN5113DW1T3G 価格設定（USD） [1074093個在庫]
- 1 pcs$0.03461
- 10,000 pcs$0.03444
- 品番:
- NSVMUN5113DW1T3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVMUN5113DW1T3G electronic components. NSVMUN5113DW1T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN5113DW1T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVMUN5113DW1T3G 製品の属性
品番 :
NSVMUN5113DW1T3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
47 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
47 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 5mA, 1V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
250mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-88/SC70-6/SOT-363
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- XN0421400L
- RN2902,LF
- NSVB144EPDXV6T1G
- RN2907(T5L,F,T)
- RN2968FE(TE85L,F)
- EMG2DXV5T5
- NSBA113EDXV6T1
- RN4988(T5L,F,T)
- XN0421600L
- BCR108SH6433XTMA1
- MUN5331DW1T1G
- MUN5315DW1T1
- MUN5235DW1T1
- EMG2DXV5T1G
- BCR48PNE6433BTMA1
- BCR22PNE6433HTMA1
- BCR133SB6327XT
- BCR08PNE6433HTMA1
- XP0621600L
- XN0111M00L
- NSBC113EDXV6T1G
- EMC2DXV5T1
- DDC114YU-7
- DCX124EU-7
- XP0431600L
- XP0111200L
- XN0621300L
- XN0121300L
- XN0111200L
- PBLS1503V,115
- PEMF21,115
- PBLS4002D,115
- DDA114YU-7
- XN0411100L
- XP0621500L
- DDA114EU-7
- DDC114TU-7
- IMD23T108
- UMF23NTR
- BCR10PNH6730XTMA1