Alliance Memory, Inc. - AS4C128M8D3B-12BIN

KEY Part #: K937517

AS4C128M8D3B-12BIN 価格設定(USD) [17157個在庫]

  • 1 pcs$2.67064

品番:
AS4C128M8D3B-12BIN
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 128Mx8 DDR3 I-Temp
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、オーディオの特別な目的, メモリ-FPGAのコンフィギュレーションプロム, インターフェース-信号バッファー、リピーター、スプリッター, リニア-アンプ-特別な目的, PMIC-V / FおよびF / Vコンバーター, リニア-アンプ-オーディオ, インターフェース-特化 and クロック/タイミング-リアルタイムクロックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BIN electronic components. AS4C128M8D3B-12BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C128M8D3B-12BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M8D3B-12BIN 製品の属性

品番 : AS4C128M8D3B-12BIN
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR3
メモリー容量 : 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 : 800MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 20ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.425V ~ 1.575V
動作温度 : -40°C ~ 95°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 78-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 78-FBGA (8x10.5)

あなたも興味があるかもしれません
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor