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Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 価格設定（USD） [16879個在庫]

  • 1 pcs$2.25638
  • 10 pcs$2.04661
  • 25 pcs$2.00236
  • 50 pcs$1.99126
品番:
TH58BYG2S3HBAI6
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、組み込み-マイクロコントローラー, データ収集-D / Aコンバーター（DAC）, 組み込み-システムオンチップ（SoC）, PMIC-バッテリー管理, ロジック-バッファー、ドライバー、レシーバー、トランシーバー, クロック/タイミング-アプリケーション固有, リニア-アンプ-オーディオ and PMIC-V / FおよびF / Vコンバーターを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 electronic components. TH58BYG2S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG2S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 製品の属性

品番 : TH58BYG2S3HBAI6
メーカー : Toshiba Memory America, Inc.
説明 : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
シリーズ : Benand™
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 : 4Gb (512M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns
アクセス時間 : 25ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 67-VFBGA (6.5x8)

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