IPD180N10N3GATMA1 価格設定（USD） [194329個在庫]
- 1 pcs$0.19033
- 2,500 pcs$0.18272
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MV POWER MOS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD180N10N3GATMA1 electronic components. IPD180N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD180N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD180N10N3GATMA1 製品の属性
品番 :
IPD180N10N3GATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MV POWER MOS
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
43A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 33µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1800pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
71W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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