STMicroelectronics - STB31N65M5

KEY Part #: K6396620

STB31N65M5 価格設定(USD) [37803個在庫]

  • 1 pcs$1.03434
  • 1,000 pcs$0.92074

品番:
STB31N65M5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STB31N65M5 electronic components. STB31N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB31N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB31N65M5 製品の属性

品番 : STB31N65M5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
シリーズ : MDmesh™ V
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 148 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1865pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

  • SIHA20N50E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.