Infineon Technologies - IRFS7730PBF

KEY Part #: K6398022

IRFS7730PBF 価格設定(USD) [18194個在庫]

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品番:
IRFS7730PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS7730PBF 製品の属性

品番 : IRFS7730PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 195A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 407nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 13660pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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