STMicroelectronics - STP40N60M2

KEY Part #: K6398575

STP40N60M2 価格設定(USD) [9140個在庫]

  • 1 pcs$4.50836
  • 10 pcs$4.05752
  • 100 pcs$3.33619
  • 500 pcs$2.79518

品番:
STP40N60M2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 34A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STP40N60M2 electronic components. STP40N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP40N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP40N60M2 製品の属性

品番 : STP40N60M2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 34A TO220
シリーズ : MDmesh™ II Plus
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 34A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 88 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2500pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.

  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.