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- 品番:
- STD50NH02L-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD50NH02L-1 electronic components. STD50NH02L-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD50NH02L-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD50NH02L-1 製品の属性
品番 :
STD50NH02L-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
シリーズ :
STripFET™ III
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
24V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.8V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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