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ON Semiconductor - FDC2612_F095

KEY Part #: K6413125

[7942個在庫]

    品番:
    FDC2612_F095
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDC2612_F095 electronic components. FDC2612_F095 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC2612_F095, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC2612_F095 製品の属性

    品番 : FDC2612_F095
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.1A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 725 mOhm @ 1.1A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 234pF @ 100V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.6W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6
    パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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