[1779個在庫]
- 品番:
- EGL41DHE3/96
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41DHE3/96 electronic components. EGL41DHE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL41DHE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL41DHE3/96 製品の属性
品番 :
EGL41DHE3/96
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
シリーズ :
SUPERECTIFIER®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
20pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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