Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TB120SR-M3

KEY Part #: K6471244

VS-HFA08TB120SR-M3 価格設定(USD) [94052個在庫]

  • 1 pcs$0.41574

品番:
VS-HFA08TB120SR-M3
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 8A IF TO-220AC 130A IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TB120SR-M3 製品の属性

品番 : VS-HFA08TB120SR-M3
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK
シリーズ : HEXFRED®
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : -
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 4.3V @ 16A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 95ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)

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