GeneSiC Semiconductor - FR12BR02

KEY Part #: K6425504

FR12BR02 価格設定(USD) [10564個在庫]

  • 1 pcs$3.90108
  • 200 pcs$2.29988

品番:
FR12BR02
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A REV Leads Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor FR12BR02 electronic components. FR12BR02 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FR12BR02, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FR12BR02 製品の属性

品番 : FR12BR02
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 12A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C
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