Microsemi Corporation - APT53F80J

KEY Part #: K6392615

APT53F80J 価格設定（USD） [1630個在庫]

1 pcs$29.22496
10 pcs$27.50473

品番:: APT53F80J

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APT53F80J electronic components. APT53F80J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT53F80J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT53F80J 製品の属性

品番 : APT53F80J

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227

シリーズ : POWER MOS 8™

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 57A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 43A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 570nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 17550pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 960W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®

パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

最新ニュース

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

あなたも興味があるかもしれません

VN3205N3-G-P002

Microchip Technology

MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.
FDD8796

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.
FQD7N30TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK.
FQD5N20LTM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.
FDD3670

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.
HUF76609D3ST

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

English 日本語