GeneSiC Semiconductor - 1N8032-GA

KEY Part #: K6425562

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA electronic components. 1N8032-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8032-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : 1N8032-GA

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

シリーズ : -

部品ステータス : Obsolete

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 650V

電流-平均整流（Io） : 2.5A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 2.5A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 650V

静電容量@ Vr、F : 274pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : TO-257-3

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-257

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 250°C

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