Diodes Incorporated - SBR05U40CSP-7

KEY Part #: K6443936

[2621個在庫]


    品番:
    SBR05U40CSP-7
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    DIODE SBR 40V 500MA WLB1006.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated SBR05U40CSP-7 electronic components. SBR05U40CSP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR05U40CSP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SBR05U40CSP-7 製品の属性

    品番 : SBR05U40CSP-7
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : DIODE SBR 40V 500MA WLB1006
    シリーズ : SBR®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Super Barrier
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 40V
    電流-平均整流(Io) : 500mA
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 460mV @ 500mA
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 75µA @ 40V
    静電容量@ Vr、F : 34pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 2-XDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : X2-WLB1006-2
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-HFA08TA60C-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

    • VSB1545-M3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

    • VS-8ETU04STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.

    • VS-MBRB1045PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.

    • VS-20ETF10STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC.