GSID200A170S3B1 価格設定（USD） [660個在庫]
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- 品番:
- GSID200A170S3B1
- 詳細な説明:
- SILICON IGBT MODULES.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A170S3B1 electronic components. GSID200A170S3B1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A170S3B1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GSID200A170S3B1 製品の属性
品番 :
GSID200A170S3B1
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
SILICON IGBT MODULES
シリーズ :
Amp+™
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
400A
パワー-最大 :
1630W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
26nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
D-3 Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
D3
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