FGA60N65SMD 価格設定（USD） [20198個在庫]
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- 品番:
- FGA60N65SMD
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 120A 600W TO3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGA60N65SMD electronic components. FGA60N65SMD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGA60N65SMD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGA60N65SMD 製品の属性
品番 :
FGA60N65SMD
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 650V 120A 600W TO3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
120A
電流-パルスコレクター（Icm） :
180A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.5V @ 15V, 60A
パワー-最大 :
600W
スイッチングエネルギー :
1.54mJ (on), 450µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
189nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
18ns/104ns
試験条件 :
400V, 60A, 3 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
47ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
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