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- 品番:
- 62-0095PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies 62-0095PBF electronic components. 62-0095PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 62-0095PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
62-0095PBF 製品の属性
品番 :
62-0095PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.55V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
900pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
パッケージ/ケース :
-
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