Infineon Technologies - IKW25N120H3FKSA1

KEY Part #: K6422679

IKW25N120H3FKSA1 価格設定(USD) [12775個在庫]

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品番:
IKW25N120H3FKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKW25N120H3FKSA1 製品の属性

品番 : IKW25N120H3FKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
シリーズ : TrenchStop®
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 50A
電流-パルスコレクター(Icm) : 100A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.4V @ 15V, 25A
パワー-最大 : 326W
スイッチングエネルギー : 2.65mJ
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 115nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 27ns/277ns
試験条件 : 600V, 25A, 23 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 290ns
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3

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