Diodes Incorporated - DMN2300UFB4-7B

KEY Part #: K6420849

DMN2300UFB4-7B 価格設定(USD) [1416991個在庫]

  • 1 pcs$0.02623
  • 10,000 pcs$0.02610

品番:
DMN2300UFB4-7B
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B electronic components. DMN2300UFB4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2300UFB4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2300UFB4-7B 製品の属性

品番 : DMN2300UFB4-7B
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 64.3pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース : 3-XFDFN