GeneSiC Semiconductor - 1N3766

KEY Part #: K6425635

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

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品番 : 1N3766

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP 800V 35A DO5

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 800V

電流-平均整流（Io） : 35A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 35A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 190°C

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