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- 品番:
- IPD50R800CEBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 500V 5A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD50R800CEBTMA1 electronic components. IPD50R800CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R800CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD50R800CEBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD50R800CEBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 500V 5A TO252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
13V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 130µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
280pF @ 100V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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