IXYS - IXTN600N04T2

KEY Part #: K6398360

IXTN600N04T2 価格設定(USD) [3731個在庫]

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品番:
IXTN600N04T2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN600N04T2 製品の属性

品番 : IXTN600N04T2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
シリーズ : GigaMOS™, TrenchT2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 600A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 590nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 40000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 940W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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