Vishay Siliconix - SI8819EDB-T2-E1

KEY Part #: K6421527

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品番:
SI8819EDB-T2-E1
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8819EDB-T2-E1 製品の属性

品番 : SI8819EDB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 3.7V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 650pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 900mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
パッケージ/ケース : 4-XFBGA