Microsemi Corporation - JAN1N5615US

KEY Part #: K6424989

JAN1N5615US 価格設定(USD) [6983個在庫]

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品番:
JAN1N5615US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5615US electronic components. JAN1N5615US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5615US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5615US 製品の属性

品番 : JAN1N5615US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/429
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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