ON Semiconductor - FDB86102LZ

KEY Part #: K6397349

FDB86102LZ 価格設定(USD) [111339個在庫]

  • 1 pcs$0.33220
  • 800 pcs$0.23110

品番:
FDB86102LZ
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDB86102LZ electronic components. FDB86102LZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB86102LZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB86102LZ 製品の属性

品番 : FDB86102LZ
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.3A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1275pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB