NSF8DTHE3_A/P 価格設定（USD） [128710個在庫]
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- 品番:
- NSF8DTHE3_A/P
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC. Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSF8DTHE3_A/P electronic components. NSF8DTHE3_A/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSF8DTHE3_A/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSF8DTHE3_A/P 製品の属性
品番 :
NSF8DTHE3_A/P
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 8A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2 Insulated, TO-220AC
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220AC
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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